MOS場效應管檢測方法

MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金屬氧化物合成半導體的場效應晶體管），屬于絕緣柵型。

在金屬柵與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（高可達1015Ω）。

它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源S接在一起。 

MOS場效應管檢測方法：

1．準備工作

測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。

好在手腕上接一條導線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導線。

將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵。

若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵G。

交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D，紅表筆接的是S。

日本生產的3SK系列產品，S與管殼接通，據此很容易確定S。

將G懸空，黑表筆接D，紅表筆接S，然后用手指觸摸G，表針應有較大的偏轉。

雙柵MOS場效應管有兩個柵G1、G2。為區分之，可用手分別觸摸G1、G2，其中表針向左側偏轉幅度較大的為G2。

關鍵詞：  MOS場效應管  7805晶體管  AC-DC電源芯片

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