MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金屬氧化物合成半導體的場效應晶體管),屬于絕緣柵型。
在金屬柵與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(高可達1015Ω)。
它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底(基板)與源S接在一起。
MOS場效應管檢測方法:
1.準備工作
測量之前,先把人體對地短路后,才能摸觸MOSFET的管腳。
好在手腕上接一條導線與大地連通,使人體與大地保持等電位。再把管腳分開,然后拆掉導線。
將萬用表撥于R×100檔,首先確定柵。
若某腳與其它腳的電阻都是無窮大,證明此腳就是柵G。
交換表筆重測量,S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐,其中阻值較小的那一次,黑表筆接的為D,紅表筆接的是S。
日本生產的3SK系列產品,S與管殼接通,據此很容易確定S。
將G懸空,黑表筆接D,紅表筆接S,然后用手指觸摸G,表針應有較大的偏轉。
雙柵MOS場效應管有兩個柵G1、G2。為區分之,可用手分別觸摸G1、G2,其中表針向左側偏轉幅度較大的為G2。
關鍵詞: MOS場效應管 7805晶體管 AC-DC電源芯片
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