7812晶體管 廠家供應
直流參數
1：共射直流放大系數
2：共基直流放大系數
當 可忽略時， 。
3：間的反向電流
是**開路時，集電結的反向飽和電流。
是基開路時，集電與**間的穿透電流， 。
同一型號的管子，反向電流愈小，性能愈穩定。
選用管子時， 與 應盡量小。硅管比鍺管的間反向電流小2 3個數量級，因此溫度穩定性也比鍺管好。
交流參數——是描述晶體管對于動態信號的性能指標
1：共射交流電流放大系數
（ 常量）
選用管子時， 應適中，太小則放大能力不強，太大則溫度穩定性差。
2：共基交流電流放大系數
（ 常量）
在近似分析中可以認為 ， 。
3：特征頻率
由于晶體管中PN結的結電容存在， 是所加信號頻率的函數。信號頻率高到一定程度時，集電電流與基電流之比不但數值下降，且產生相移。使共射電流放大系數的數值下降到1的信號頻率稱為特征頻率 。
限參數——是指為使晶體管安全工作，對它的電壓、電流和功率損耗的限制
1：較大集電耗散功率
決定于晶體管的溫升。當硅管的溫度大于150℃、鍺管的溫度大于70℃時，管子特性明顯變壞，甚至燒壞。對于確定型號的晶體管， 常數。對于大功率管的 ，應特別注意條件，如對散熱片的規格要求。當散熱條件不滿足要求時，允許的較大功耗將小于 。
2：較大集電電流
在相當大的范圍內 值基本不變，但當 的數值大到一定程度時， 值將減小。使 值明顯減小的 即為 。對于合金型小功率管，定義當 時，由 得出的 即為 。
實際上，當 時，晶體管不一定損壞，但 明顯下降。
3：間反向擊穿電壓
晶體管的某一電開路時，另外兩個電間所允許加的較高反向電壓稱為間反向擊穿電壓，過此值時，管子會發生擊穿現象。
是**開路時，集電—基間的反向擊穿電壓，這是集電結所允許加的較高反向電壓。
是基開路時，集電—**間的反向擊穿電壓，此時集電結承受反向電壓。
是集電開路時，**—基間的反向擊穿電壓，這是**結所允許加的較高反向電壓。
對于不同型號的管子， 為幾十伏到上千伏， ，而 只有1伏以下到幾伏。此外，集電—**間的擊穿電壓還有：b—e間，接電阻時的 ，短路時的 ，接反向電壓時的 等。
在組成晶體管電路時，應根據需求選擇管子型號。例如用于組成音頻放大電路，則應選低頻管；用于組成寬頻帶放大電路，則應選高頻管或高頻管；用于組成數字電路，則應選開關管；若管子溫升較高或反向電流要求小，則應選用硅管；若要求b—e間導通電壓低，則應選用鍺管。而且，為防止晶體管在使用中損壞，必須使之工作在安全區內，同時b—e間的反向電壓要小于 ；對于功率管，還必須滿足散熱條件。
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編輯精選內容：
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