批發MOS管 TSS5**0P

MOS管工作原理--MOS管簡介MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導體，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結構，即：在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵較。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，兩個區是一樣的

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應用的只需增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。

mos管三個較分別是什么及判定方法
mos管的三個較分別是：G（柵較），D（漏較）s（源及），要求柵較和源及之間電壓大于某一特定值，漏較和源及才能導通。
什么是MOS管?MOS管結構原理圖解(應用_優勢_三個較代表)
1.判斷柵較G
MOS驅動器主要起波形和加強驅動的作用：假如MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點評切換階段會造成大量電能損耗其是降低電路轉換效率，MOS管發燒嚴峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號驅動能力不夠，將嚴峻影響波形跳變的時間。
將G-S較短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S較，紅表筆接D較，阻值應為幾歐至十幾歐。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大，則證實此腳為G較，由于它和另外兩個管腳是絕緣的。
2.判斷源較S、漏較D
將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S較，紅表筆接D較。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通態電阻RDS（on）
在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S較與D較。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
測試步驟：
MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。
其步驟如下：
假如有阻值沒被測MOS管有漏電現象。
1、把連接柵較和源較的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好
2、然后一根導線把MOS管的柵較和源較連接起來，假如指針立刻返回無限大，則MOS完好。
3、把紅筆接到MOS的源較S上，黑筆接到MOS管的漏較上，好的表針指示應該是無限大。
4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵較和漏較上，然后把紅筆接到MOS的源較S上，黑筆接到MOS管的漏較上，這時表針指示的值一般是0，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵較充電，產生柵較電場，因為電場產生導致導電溝道致使漏較和源較導通，故萬用表指針偏轉，偏轉的角度大，放電性越好。
MOS管（場效應管）的應用領域
1：工業領域、步進馬達驅動、電鉆工具、工業開關電源
2：新能源領域、光伏逆變、充電樁、無人機
3：交通運輸領域、車載逆變器、汽車HID器、電動自行車
4：綠色照明領域、CCFL節能燈、LED照明電源、金鹵燈鎮流器

選擇到一款正確的MOS管，可以地控制生產制造成本，為重要的是，為產品匹配了一款恰當的元器件，這在產品未來的使用過程中，將會充分發揮其“螺絲釘”的作用，確保設備得到、穩定、持久的應用效果。那么面對市面上琳瑯滿目的MOS管，該如何選擇呢？下面，我們就分7個步驟來闡述MOS管的選型要求。
MOS管是電子制造的基本元件，但面對不同封裝、不同特性、不同的MOS管時，該如何抉擇？有沒有省心、省力的遴選方法？
先是確定N、P溝道的選擇
MOS管有兩種結構形式，即N溝道型和P溝道型，結構不一樣，使用的電壓性也會不一樣，因此，在確定選擇哪種產品前，先需要確定采用N溝道還是P溝道MOS管。
MOS管選型技巧
MOS管的兩種結構：N溝道型和P溝道型
在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOS管，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。
當MOS管連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOS管，這也是出于對電壓驅動的考慮。
要選擇適合應用的器件，必須確定驅動器件所需的電壓，以及在設計中簡易執行的方法。
第二步是確定電壓
額定電壓越大，器件的成本就越高。從成本角度考慮，還需要確定所需的額定電壓，即器件所能承受的大電壓。根據實踐經驗，額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓，一般會留出1.2~1.的電壓余量，這樣才能提供足夠的保護，使MOS管失效。
就選擇MOS管而言，必須確定漏至源間可能承受的大電壓，即大VDS。由于MOS管所能承受的大電壓會隨溫度變化而變化，設計人員必須在整個工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍，確保電路失效。
此外，設計還需要考慮其他安全因素：如由開關電子設備(常見有電機或變壓器)誘發的電壓瞬變。另外，不同應用的額定電壓也有所不同；通常便攜式設備選用20V的MOS管，FPGA電源為20～30V的MOS管，85～220V AC應用時MOS管VDS為450～600V。
第三步為確定電流
確定完電壓后，接下來要確定的就是MOS管的電流。需根據電路結構來決定，MOS管的額定電流應是負載在所有情況下都能夠承受的大電流；與電壓的情況相似，MOS管的額定電流必須能滿足系統產生尖峰電流時的需求。電流的確定需從兩個方面著手：連續模式和脈沖尖峰。在連續導通模式下，MOS管處于穩態，此時電流連續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的大電流，只需直接選擇能承受這個大電流的器件便可。
選好額定電流后，還必須計算導通損耗。在實際情況下，MOS管并不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，也就是導通損耗。MOS管在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的導通電阻RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率損耗PTRON=Iload2×RDS(ON)計算（Iload：大直流輸出電流），由于導通電阻會隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOS管施加的電壓VGS越高，RDS(ON)就會越小；反之RDS(ON)就會越高。
對系統設計人員來說，這就需要折中權衡。對便攜式設計來說，采用較低的電壓即可(較為普遍)；而對于工業設計來說，可采用較高的電壓。需要注意的是，RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。
技術對器件的特性有著重大影響，因為有些技術在提高大VDS（漏源額定電壓）時往往會使RDS(ON)。對于這樣的技術，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，從而增加與之配套的封裝尺寸及相關的開發成本。業界現有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術，其中主要的是溝道和電荷平衡技術。
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