肖特基二管作用：
肖特基二管肖特基（Schottky）二管，又稱肖特基勢壘二管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二管、續流二管、保護二管，也有用在微波通信等電路中作整流二管、小信號檢波二管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。
一個典型的應用，是在雙型晶體管 BJT 的開關電路里面，通過在 BJT 上連接 Shockley 二管來箝位，使得晶體管在導通狀態時其實處于很接近截止狀態，從而提高晶體管的開關速度。這種方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型數字 IC 的 TTL內部電路中使用的技術。
肖特基（Schottky）二管的大特點是正向壓降 V* 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時要全面考慮。
肖特基二管檢查：
肖特基（Schottky）二管也稱肖特基勢壘二管（簡稱SBD），它是一種低功耗、高速半導體器件，廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二管、續流二管、保護二管使用，或在微波通信等電路中作整流二管、小信號檢波二管使用。
性能比較
下表列出了肖特基二管和快恢復二管、快恢復二管、硅高頻整流二管、硅高速開關二管的性能比較。由表可見，硅高速開關二管的trr雖低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。
檢測方法
下面通過一個實例來介紹檢測肖特基二管的方法。檢測內容包括：①識別電；②檢查管子的單向導電性；③測正向導壓降V；④測量反向擊穿電壓VBR。
被測管為B82-004型肖特基管，共有三個管腳，將管腳按照正面（字面朝向人）從左至右順序編上序號①、②、③。選擇500型萬用表的R×1檔進行測量，全部數據整理成下表：
肖特基二管測試結論：
，根據①—②、③—④間均可測出正向電阻，判定被測管為共陰對管，①、③腳為兩個陽，②腳為公共陰。
二，因①—②、③—②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無窮大，故具有單向導電性。
三，內部兩只肖特基二管的正向導通壓降分別為0.315V、0.33V，均手冊中給定的大允許值VM(0.55V)。
另外使用ZC 25-3型兆歐表和500型萬用表的250VDC檔測出，內部兩管的反向擊穿電壓VBR依次為140V、135V。查手冊，B82-004的高反向工作電壓（即反向峰值電壓）VBR=40V。表明留有較高的安全系數.
肖特基（Schottky）二管，又稱肖特基勢壘二管，是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二管,簡稱肖特基二管。在通信電源、變頻器等中比較常見。而普通二管只能用在低頻整流場合，耐壓可以做得高。
肖特基二管結構：
新型高壓SBD的結構和材料與傳統SBD是有區別的。傳統SBD是通過金屬與半導體接觸而構成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導體通常為硅（Si）或砷化鎵（GaAs）。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導體材料作為基片。為了減小SBD的結電容，提高反向擊穿電壓，同時又不使串聯電阻過大，通常是在N+襯底上外延一高阻N－薄層。其結構示圖如圖1（a），圖形符號和等效電路分別如圖1（b）和圖1（c）所示。在圖1（c）中，CP是管殼并聯電容，LS是引線電感，RS是包括半導體體電阻和引線電阻在內的串聯電阻，Cj和Rj分別為結電容和結電阻（均為偏流、偏壓的函數）。 大家知道，金屬導體內部有大量的導電電子。當金屬與半導體接觸（二者距離只有原子大小的數量級）時，金屬的費米能級半導體的費米能級。在金屬內部和半導體導帶相對應的分能級上，電子密度小于半導體導帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會從半導體向金屬擴散，從而使金屬帶上負電荷，半導體帶正電荷。由于金屬是理想的導體，負電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內。而對于N型半導體來說，失去電子的施主雜質原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。電子從半導體向金屬擴散運動的結果，形成空間電荷區、自建電場和勢壘，并且耗盡層只在N型半導體一邊（勢壘區全部落在半導體一側）。勢壘區中自建電場方向由N型區指向金屬，隨熱電子**自建場增加，與擴散電流方向相反的漂移電流增大，終達到動態平衡，在金屬與半導體之間形成一個接觸勢壘，這就是肖特基勢壘。
在外加電壓為零時，電子的擴散電流與反向的漂移電流相等，達到動態平衡。在加正向偏壓（即金屬加正電壓，半導體加負電壓）時，自建場削弱，半導體一側勢壘降低，于是形成從金屬到半導體的正向電流。當加反向偏壓時，自建場增強，勢壘高度增加，形成由半導體到金屬的較小反向電流。因此，SBD與PN結二管一樣，是一種具有單向導電性的非線性器件。
肖特基二管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正，以N型半導體B為負，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
肖特基二管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二管或表面勢壘二管，它是一種熱載流子二管。
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