產品規格TO-220包裝說明紙箱
肖特基二管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正，以N型半導體B為負，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
肖特基缺陷是由于晶體表面附近的原子熱運動到表面，在原來的原子位置留出空位，然后內部鄰近的原子再進入這個空位，這樣逐步進行而造成的，看來就好像是晶體內部原子跑到晶體表面來了。顯然，對于離子晶體，陰陽離子空位總是成對出現；但若是單質，則無這種情況。除了表面外，肖特基缺陷也可在位錯或晶界上產生。這種缺陷在晶體內也能運動，也存在著產生和復合的動態平衡。對一定的晶體來說，在確定的溫度下，缺陷的濃度也是一定的。空位缺陷的存在可用場離子顯微鏡直接觀察到。
肖特基二管作用：
肖特基二管肖特基（Schottky）二管，又稱肖特基勢壘二管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二管、續流二管、保護二管，也有用在微波通信等電路中作整流二管、小信號檢波二管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。
一個典型的應用，是在雙型晶體管 BJT 的開關電路里面，通過在 BJT 上連接 Shockley 二管來箝位，使得晶體管在導通狀態時其實處于很接近截止狀態，從而提高晶體管的開關速度。這種方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型數字 IC 的 TTL內部電路中使用的技術。
肖特基（Schottky）二管的大特點是正向壓降 V* 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時要全面考慮。
肖特基二管檢查：
肖特基（Schottky）二管也稱肖特基勢壘二管（簡稱SBD），它是一種低功耗、高速半導體器件，廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二管、續流二管、保護二管使用，或在微波通信等電路中作整流二管、小信號檢波二管使用。
性能比較
下表列出了肖特基二管和快恢復二管、快恢復二管、硅高頻整流二管、硅高速開關二管的性能比較。由表可見，硅高速開關二管的trr雖低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。
檢測方法
下面通過一個實例來介紹檢測肖特基二管的方法。檢測內容包括：①識別電；②檢查管子的單向導電性；③測正向導壓降V；④測量反向擊穿電壓VBR。
被測管為B82-004型肖特基管，共有三個管腳，將管腳按照正面（字面朝向人）從左至右順序編上序號①、②、③。選擇500型萬用表的R×1檔進行測量，全部數據整理成下表：
肖特基二管測試結論：
，根據①—②、③—④間均可測出正向電阻，判定被測管為共陰對管，①、③腳為兩個陽，②腳為公共陰。
二，因①—②、③—②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無窮大，故具有單向導電性。
三，內部兩只肖特基二管的正向導通壓降分別為0.315V、0.33V，均手冊中給定的大允許值VM(0.55V)。
另外使用ZC 25-3型兆歐表和500型萬用表的250VDC檔測出，內部兩管的反向擊穿電壓VBR依次為140V、135V。查手冊，B82-004的高反向工作電壓（即反向峰值電壓）VBR=40V。表明留有較高的安全系數.
肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導體接觸，就如同二管具有整流特性。是金屬-半導體邊界上形成的具有整流作用的區域。
肖特基勢壘指具有大的勢壘高度（也就是ΦBn 或者 ΦBp 》》 kT），以及摻雜濃度比導帶或價帶上態密度低的金屬-半導體接觸（施敏， 半導體器件物理與工藝， 二版， 7.1.2）。
肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導體接觸，就如同二管具有整流特性。是金屬-半導體邊界上形成的具有整流作用的區域。
金屬與n型半導體形成的肖特基勢壘如圖1所示。金屬—半導體作為一個整體在熱平衡時有同樣費米能級。肖特基勢壘相較于PN界面大的區別在于具有較低的界面電壓，以及在金屬端具有相當薄的（幾乎不存在）空乏區寬度。由半導體到金屬，電子需要克服勢壘；而由金屬向半導體，電子受勢壘阻擋。在加正向偏置時半導體一側的勢壘下降；相反，在加反向偏置時，半導體一側勢壘增高。使得金屬-半導體接觸具有整流作用（但不是一切金屬—半導體接觸均如此）。如果對于N型半導體，金屬的功函數大于半導體的功函數，對于P型半導體，金屬的功函數小于半導體的功函數，以及半導體雜質濃度不小于10^19/立方厘米數量級時會出現歐姆接觸，它會因雜質濃度高而發生隧道效應，以致勢壘不起整流作用。并非所有的金屬-半導體接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金屬-半導體接面則稱為歐姆接觸。整流屬性決定于金屬的功函、固有半導體的能隙，以及半導體的摻雜類型及濃度。在設計半導體器件時需要對肖特基效應相當熟悉，以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生肖特基勢壘。當半導體均勻摻雜時肖特基勢壘的空間電荷層寬度和單邊突變P-N結的耗盡層寬度相一致。
肖特基勢壘是什么？具有什么應用優勢
優點
由于肖特基勢壘具有較低的界面電壓，可被應用在某器件需要近似于一個理想二管的地方。在電路設計中，它們也同時與一般的二管及晶體管一起使用， 其主要的功能是利用其較低的界面電壓來保護電路上的其它器件。
然而，自始至終肖特基器件相較于其它半導體器件來說能被應用的領域并不廣。
器件
肖特基二管，肖特基勢壘自身作為器件即為肖特基二管。
肖特基勢壘碳納米管場效應晶體管ET：金屬和碳納米管之間的接觸并不理想所以層錯導致肖特基勢壘，所以我們可以使用這一勢壘來制作肖特基二管或者晶體管等等。
二管和整流器，Diodes Inc
二管配置單路
大連續正向電流500mA
每片芯片元件數目1
峰值反向重復電壓30V
安裝類型表面貼裝
封裝類型SOD-323
二管類型肖特基
引腳數目2
大正向電壓降450mV
長度1.8mm
寬度1.4mm
高度1.1mm
高工作溫度+125 °C
峰值反向電流500？A
尺寸1.8 x 1.4 x 1.1mm
峰值非重復正向浪涌電流2A
工作溫度-40 °C
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