肖特基二管MBR10200FCT TO-220F TSS

肖特基二管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二管或表面勢壘二管，它是一種熱載流子二管。
肖特基二管優點：SBD具有開關頻率高和正向壓降低等優點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不60V，高僅約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開關電源（SMPS）和功率因數校正（PC）電路率開關器件的續流二管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二管以及PC升壓用600V二管等，只有使用恢復外延二管（RED）和恢復二管（URD）。URD的反向恢復時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開關為100kHz的SMPS，由于URD的導通損耗和開關損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發展趨勢。因此，發展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關注的熱點。近幾年，SBD已**了突破性的進展，150V和 200V的高壓SBD已經上市，使用新型材料制作的過1kV的SBD也研制成功，從而為其應用注入了新的生機與活力。

肖特基二管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正，以N型半導體B為負，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。

肖特基二管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二管或表面勢壘二管，它是一種熱載流子二管。
肖特基二管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正，以N型半導體B為負，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
典型的肖特基整流管的內部電路結構是以N型半導體為基片，在上面形成用作摻雜劑的N-外延層。陽使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來消除邊緣區域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態電阻，其摻雜濃度較H-層要高倍。在基片下邊形成N+陰層，其作用是減小陰的接觸電阻。通過調整結構參數，N型基片和陽金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽金屬接電源正，N型基片接電源負）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。
綜上所述，肖特基整流管的結構原理與PN結整流管有很大的區別通常將PN結整流管稱作結整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二管也已問世，這不僅可節省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數的一致性。

如何選用肖特基二管
開關電源當中我們經常會用到肖特基二管，但是由于不同廠商等原因性能上就相差很大，我們選擇肖特基時必須要考慮以下幾點參數：
1.導通壓降VF：VF為二管正向導通時二管兩端的壓降，選擇肖特基二管是盡量選擇VF較小的二管。
2.反向飽和漏電流IR：IR指在二管兩端加入反向電壓時，流過二管的電流，肖特基二管反向漏電流較大，選擇肖特基二管是盡量選擇IR較小的二管。
3.額定電流IF：指二管長期運行時，根據允許溫升折算出來的平均電流值。
4.大浪涌電流IFSM：允許流過的過量的正向電流。它不是正常電流，而是瞬間電流，這個值相當大。
5.大反向峰值電壓VRM：即使沒有反向電流，只要不斷地提高反向電壓，遲早會使二管損壞。這種能加上的反向電壓，不是瞬時電壓，而是反復加上的正反向電壓。因給整流器加的是交流電壓，它的大值是規定的重要因子。大反向峰值電壓VRM指為避免擊穿所能加的大反向電壓。
6.大直流反向電壓VR：上述大反向峰值電壓是反復加上的峰值電壓，VR是連續加直流電壓時的值。用于直流電路，大直流反向電壓對于確定允許值和上限值是很重要的。
7.高工作頻率fM：由于PN結的結電容存在，當工作頻率過某一值時，它的單向導電性將變差。肖特基二管的fM值較高，大可達100GHz。

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