產品描述
三管,全稱應為半導體三管,也稱雙型晶體管、晶體三管,是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點開關。
三管是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的**元件。三管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結,兩個PN結把整塊半導體分成三部分,中間部分是基區,兩側部分是**區和集電區,排列方式有PNP和NPN兩種。
工作原理:
晶體三管(以下簡稱三管)按材料分有兩種:鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式,但使用較多的是硅NPN和鍺PNP兩種三管,(其中,N是負的意思(代表英文中Negative),N型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子,在電壓 ** 下產生自由電子導電,而P是正的意思(Positive)是加入硼取代硅,產生大量空穴利于導電)。兩者除了電源性不同外,其工作原理都是相同的。
三管是一種電流放大器件,但在實際使用中常常通過電阻將三管的電流放大作用轉變為電壓放大作用。
放大原理
1、**區向基區**電子
電源Ub經過電阻Rb加在**結上,**結正偏,**區的多數載流子(自由電子)不斷地越過**結進入基區,形成**電流Ie。同時基區多數載流子也向**區擴散,但由于多數載流子濃度遠**區載流子濃度,可以不考慮這個電流,因此可以認為**結主要是電子流。
2、基區中電子的擴散與復合
電子進入基區后,先在靠近**結的附近密集,漸漸形成電子濃度差,在濃度差的作用下,促使電子流在基區中向集電結擴散,被集電結電場拉入集電區形成集電電流Ic。也有很小一部分電子(因為基區很薄)與基區的空穴復合,擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三管的放大能力。
3、集電區收集電子
由于集電結外加反向電壓很大,這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散,同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電主電流Icn。另外集電區的少數載流子(空穴)也會產生漂移運動,流向基區形成反向飽和電流,用Icbo來表示,其數值很小,但對溫度卻異常敏感。
結構類型:
晶體三管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結,兩個PN結把整塊半導體分成三部分,中間部分是基區,兩側部分是**區和集電區,排列方式有PNP和NPN兩種。
從三個區引出相應的電,分別為基b**e和集電c。
**區和基區之間的PN結叫**結,集電區和基區之間的PN結叫集電結。基區很薄,而**區較厚,雜質濃度大,PNP型三管**區"**"的是空穴,其移動方向與電流方向一致,故**頭向里;NPN型三管**區"**"的是自由電子,其移動方向與電流方向相反,故**頭向外。**頭指向也是PN結在正向電壓下的導通方向。硅晶體三管和鍺晶體三管都有PNP型和NPN型兩種類型。
產品分類:
1.按材質分: 硅管、鍺管
2.按結構分: NPN 、 PNP
3.按功能分: 開關管、功率管、達林頓管、光敏管等.
4. 按功率分:小功率管、中功率管、大功率管
5.按工作頻率分:低頻管、高頻管、頻管
6.按結構工藝分:合金管、平面管
7.按安裝方式:插件三管、貼片三管
產品作用:
晶體三管具有電流放大作用,其實質是三管能以基電流微小的變化量來控制集電電流較大的變化量。這是三管較基本的和較重要的特性。我們將ΔIc/ΔIb的比值稱為晶體三管的電流放大倍數,用符號“β”表示。電流放大倍數對于某一只三管來說是一個定值,但隨著三管工作時基電流的變化也會有一定的改變。
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